艾锐孚(上海）新材料科技有限公司-华东地区化工原料与特种新材料代理供应商,日本富士胶片FUJIFILM半导体材料华东地区经销商，原厂原包，以优越的品质，合理的价格以及完善的售前售后服务得到新老客户的大力支持和好评，公司致力于化工产品和特种新材料产业的前沿技术和销售，联合众多进口化工品牌为客户打造最为舒适的服务。

富士胶片（Fujifilm）作为 的半导体材料供应商，深耕光刻胶领域超 30 年，以核心光学与高分子技术为支撑，构建全波长、全制程、全场景光刻胶产品矩阵。产品覆盖极紫外（EUV）、ArF、KrF、i/g 线、电子束、纳米印刻（NIL）等全品类，适配从成熟制程到 7nm 先进工艺的多样化需求，为 晶圆厂、封测企业、显示面板厂商提供一站式成像解决方案。

富士胶片Fujifilm 全系列 FUJIFILM FEU-2000 光刻胶系列产品：
1. 极紫外（EUV，13.5nm）光刻胶 —— 先进制程核心材料
聚焦负色调成像方案，专为高 NA EUV 光刻机优化设计，具备高灵敏度、低线宽粗糙度（LWR）、高抗刻蚀性三大核心优势，适配 EUV 双重 / 多重图案化工艺。核心应用：7nm 及以下逻辑芯片（CPU、GPU）、HBM3e 高端存储芯片、3D IC/Chiplet 先进封装（TSV、RDL 工艺），是下一代半导体核心制程的关键材料。
2. ArF（193nm）光刻胶 —— 先进制程中流砥柱
覆盖干式、浸没式两大技术路线，包含 GAR 系列（干式，90-65nm）、FAiR-PTD/NTD/UTD 系列（浸没式，45-7nm）及配套 TCX 系列顶涂材料，适配正显影、负显影、双重图案化等多工艺需求。
干式 ArF（GAR 系列）：含 GAR 5001、GAR 6001、GAR 7001、GAR 8001 等型号，具备高分辨率、低缺陷、高产能特点，适用于逻辑芯片非关键层、功率器件、模拟 IC 制造。
浸没式 ArF（FAiR 系列）：FAiR-PTD 2000/3000/4000 系列适配 45-7nm 逻辑 / 存储关键层；FAiR-NTD 2000/3000 系列满足双重图案化工艺需求；FAiR-UTD 1000 系列适配超薄胶层工艺，配套 TCX 1000/2000/3000 顶涂材料提供水隔离保护。
核心应用：7nm-45nm 逻辑芯片、DRAM/NAND 存储、高端 OLED 显示面板、先进封装（Fan-out、CoWoS）。
3. KrF（248nm）光刻胶 —— 成熟制程量产主力
以 FKR、FAR 系列为核心，采用高灵敏度化学放大正胶体系，适配 KrF 准分子激光曝光设备，具备高分辨率、高抗刻蚀、工艺兼容性强的优势。核心应用：0.13μm-0.25μm 逻辑芯片、功率 IC、MCU、CIS 图像传感器、MEMS 传感器、化合物半导体（GaN/SiC）器件制造。
4. i 线、g 线与宽带光刻胶 —— 成熟制程基础保障
i 线（365nm）：含 OiR 620/674/305、FHi-560EP 等型号，适配 0.35μm-0.18μm 亚微米分辨率工艺，厚膜型号 FHi-560EP 专为 MEMS、功率器件设计。
g 线（436nm）：以 HiPR 6500、HPR 510 系列为代表，支持 g/i 线宽带曝光，适配≥0.35μm 成熟制程。
核心应用：功率器件、分立器件、驱动 IC、电源管理芯片（PMIC）、PCB 电路板制造。
5. 负（聚异戊二烯基）光刻胶 —— 厚膜特种工艺优选
以聚异戊二烯基体系为核心，构建 SC 系列（厚膜 1.8-10μm）、IC Type 3（中厚膜）、HNR 系列（高分辨率 0.5-1.4μm）及光敏聚酰亚胺（PSPI，Durimide 7300/8300、LTC9300 系列）产品矩阵，具备高耐化性、高附着力、高耐热特性。核心应用：先进封装 Bumping、RDL 工艺、MEMS 微纳结构制备、功率器件终端与钝化、PCB/FPC 线路制作。
6. 电子束光刻胶 —— 高精度定制方案
覆盖 FEP 系列（正胶）、FEN 系列（负胶），适配电子束直写工艺，具备纳米级高分辨率优势，无掩模曝光特性适配小批量定制化需求。核心应用：半导体掩模版制造与修复、MEMS / 纳米器件制备、先进封装定制化 RDL、量子器件研发。
7. NIL（纳米印刻光刻）材料 —— 下一代光刻先锋
专为紫外纳米压印（UV-NIL）工艺设计，具备低粘度、高固化速度、低缺陷率核心优势，适配 10nm 及以下制程与高密度封装需求。核心应用：10nm 以下逻辑 / 存储芯片、Micro LED/OLED 显示像素制备、生物芯片微纳结构制造。

日本富士胶片 FUJIFILM FEU-2000核心技术优势：
全制程覆盖：从 EUV 先进制程到 g/i 线成熟制程，从传统光刻到 NIL 下一代技术，满足全场景工艺需求。
技术创新：持续投入 EUV、ArF 浸没式等前沿领域研发，保持 光刻胶技术 地位。
全链条支持：配套顶涂材料、显影液等辅助产品，提供定制化工艺方案与技术支持服务。
本土化布局：在日本、美国、中国设立研发与生产基地，为国内客户提供快速响应的供应链与技术服务

【 日本富士胶片 FUJIFILM FEU-2000 采购指南 】
核心优势
正品承诺:日本富士胶片FUJIFILM授权经销商|原厂原包|假一罚十
资质齐全:可提供COA/MSDS/SGS/UL黄卡及物性参数
财税合规:一对一开具13%增值税专用发票
灵活采购:1KG起订|部分型号支持散货供应
高效物流
合作物流:顺丰/德邦/安能/百世等全网覆盖
发货时效:当天下单当日发|全国直达
支付方式:电汇
运输保障:专业包装+全程物流追踪
质量保障
1到货验收:请当场查验外包装完整性
2异常处理:如遇破损/泄漏，请要求物流人员现场签认并留存证据
3售后响应:24小时内联系客服，专业团队全程跟进温馨提示
价格动态:原料行情实时波动，报价请致电确认
验厂服务:欢迎预约实地考察，见证供应链实力
长期合作:提供定制化采购方案，助力降本增效服务承诺
以品质求生存以信誉谋发展
诚信经营价格优势技术赋能

艾锐孚(上海）新材料科技有限公司供应日本富士胶片 FUJIFILM系列型号；
Fujifilm（富士胶片）GAR 5001 为 ArF 干式光刻胶，标准分辨率高灵敏度，适用于 90-65nm 逻辑芯片非关键层与功率器件。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5002 为 ArF 干式光刻胶，宽工艺窗口低缺陷，适用于 65nm 成熟制程存储与模拟 IC。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5003 为 ArF 干式光刻胶，高抗刻蚀性强，适用于 45-65nm 半导体中层光刻工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5011 为 ArF 干式光刻胶，高稳定性适配量产，适用于功率器件与显示驱动电路。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5012 为 ArF 干式光刻胶，低 LWR 高均匀性，适用于 65nm 逻辑芯片半关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 5013 为 ArF 干式光刻胶，高附着性耐化学性，适用于先进封装前道工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6001 为 ArF 干式光刻胶，高分辨率宽窗口，适用于 65-45nm 逻辑与存储半关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6002 为 ArF 干式光刻胶，高灵敏度适配量产，适用于 45nm 制程金属层光刻。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6011 为 ArF 干式光刻胶，低缺陷高密度成像，适用于 45nm 先进逻辑芯片。
Fujifilm（富士胶片）GAR 6012 为 ArF 干式光刻胶，高抗蚀垂直剖面，适用于 DRAM 存储核心层工艺。
Fujifilm（富士胶片）GAR 7001 为 ArF 干式光刻胶，超高分辨率低粗糙度，适用于 45nm 逻辑芯片关键层。
Fujifilm（富士胶片）GAR 7011 为 ArF 干式光刻胶，高稳定多重曝光适配，适用于 CIS 与先进存储器件。
Fujifilm（富士胶片）GAR 8001 为 ArF 干式光刻胶，超薄胶层低收缩，适用于 45-28nm 干式延伸制程。
Fujifilm（富士胶片）GAR 8011 为 ArF 干式光刻胶，低缺陷高良率，适用于 28nm 成熟先进制程多层布线。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，正显影高分辨率，适用于 45-28nm 逻辑与存储非关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，正显影高分辨率，适用于 45-28nm 逻辑与存储非关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2001 为 ArF 浸没式光刻胶，宽工艺窗口高稳定性，适用于 45-28nm 接触孔与通孔层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2010 为 ArF 浸没式光刻胶，高均匀性低缺陷，适用于先进封装 RDL 制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 2011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率适配量产，适用于 28nm 逻辑中层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3000 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率低 LWR，适用于 28-14nm 逻辑芯片关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3001 为 ArF 浸没式光刻胶，高抗刻蚀垂直剖面，适用于 DRAM 存储单元层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3010 为 ArF 浸没式光刻胶，多重图案化适配，适用于 14nm 先进逻辑制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 3011 为 ArF 浸没式光刻胶，高稳定低缺陷，适用于 14-7nm 高端存储器件。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4000 为 ArF 浸没式光刻胶，超高分辨率，适用于 14-7nm 逻辑芯片核心层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4001 为 ArF 浸没式光刻胶，超薄胶层适配，适用于 7nm EUV 替代层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4010 为 ArF 浸没式光刻胶，低 k1 工艺适配，适用于 7nm 高密度线路。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-PTD 4011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率低缺陷，适用于 3D IC 与 Chiplet 封装。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2000 为 ArF 浸没式光刻胶，负显影高对比度，适用于 45-28nm 双重图案化。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2001 为 ArF 浸没式光刻胶，垂直侧壁低残留，适用于窄间距互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2010 为 ArF 浸没式光刻胶，高稳定适配量产，适用于 28nm 金属层光刻。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 2011 为 ArF 浸没式光刻胶，低缺陷高良率，适用于先进存储中层工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3000 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率负显影，适用于 28-14nm 逻辑关键层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3001 为 ArF 浸没式光刻胶，高抗刻蚀低 LWR，适用于 14-7nm 先进制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3010 为 ArF 浸没式光刻胶，多重曝光适配，适用于高端存储核心层。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-NTD 3011 为 ArF 浸没式光刻胶，超低缺陷，适用于 7nm 试产与量产工艺。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1000 为 ArF 浸没式光刻胶，超薄胶层高灵敏度，适用于 14-7nm 薄膜光刻。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1001 为 ArF 浸没式光刻胶，低收缩高均匀性，适用于 3D 堆叠制程。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1010 为 ArF 浸没式光刻胶，高分辨率超薄成像，适用于高密度先进封装。
Fujifilm（富士胶片）FAiR-UTD 1011 为 ArF 浸没式光刻胶，高良率低缺陷，适用于 7nm 多层互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）TCX 1000 为 ArF 浸没式顶涂材料，高疏水低溶出，适配基础型浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 1001 为 ArF 浸没式顶涂材料，工艺窗口宽，适配 FAiR-PTD 2000 系列。
Fujifilm（富士胶片）TCX 2000 为 ArF 浸没式顶涂材料，低缺陷高稳定性，适配中高端浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 2001 为 ArF 浸没式顶涂材料，高疏水防污染，适配 FAiR-PTD 3000/NTD 2000。
Fujifilm（富士胶片）TCX 3000 为 ArF 浸没式顶涂材料，超低溶出，适配高端浸没光刻胶。
Fujifilm（富士胶片）TCX 3001 为 ArF 浸没式顶涂材料，无氟环保型，适配 FAiR-PTD 4000/NTD 3000。
Fujifilm（富士胶片）FEU-2000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，负色调高灵敏度，适用于 7nm 及以下逻辑芯片与高端存储制程。
Fujifilm（富士胶片）FEU-3000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，低线宽粗糙度高抗刻蚀，适用于 3nm/2nm 先进逻辑芯片工艺。
Fujifilm（富士胶片）FEU-4000 为极紫外（13.5nm）光刻胶，高 NA 适配多重图案化，适用于 HBM3e 与 Chiplet 先进封装。
Fujifilm（富士胶片）OiR-305 为 i 线（365nm）光刻胶，通用型高灵敏度，适用于 0.35μm-0.18μm 成熟制程。
Fujifilm（富士胶片）OiR-620 为 i 线（365nm）光刻胶，高分辨率低 LWR，适用于逻辑芯片半关键层。
Fujifilm（富士胶片）OiR-674 为 i 线（365nm）光刻胶，反射基板适配，适用于铝 / 铜布线层光刻。
Fujifilm（富士胶片）OiR-906 为 i 线（365nm）光刻胶，高抗刻蚀性，适用于功率器件与驱动 IC。
Fujifilm（富士胶片）FHi-560EP 为 i 线（365nm）厚膜光刻胶，高附着性耐化学性，适用于 MEMS 与功率器件。
Fujifilm（富士胶片）HiPR-6500 为 g 线（436nm）光刻胶，g/i 线通用宽带曝光，适用于≥0.35μm 成熟制程。
Fujifilm（富士胶片）HPR-510 为 g 线（436nm）光刻胶，高灵敏度高良率，适用于低端 IC 与分立器件。
Fujifilm（富士胶片）HPR-600 为 g 线（436nm）厚膜光刻胶，高耐刻蚀性，适用于 PCB 与被动元件制造。
Fujifilm（富士胶片）SC-100 为聚异戊二烯基负胶，厚膜 1.8-10μm，适用于先进封装 Bumping 与 RDL 工艺。
Fujifilm（富士胶片）SC-200 为聚异戊二烯基负胶，高分辨率低残留，适用于窄间距互连工艺。
Fujifilm（富士胶片）IC Type 3 为聚异戊二烯基负胶，中厚膜 0.75-2μm，通用型适配多场景工艺。
Fujifilm（富士胶片）HNR-1000 为聚异戊二烯基负胶，高分辨率 0.5-1.4μm，适用于接近式曝光工艺。
Fujifilm（富士胶片）Durimide 7300 为光敏聚酰亚胺负胶，高耐热高绝缘，适用于先进封装钝化层。
Fujifilm（富士胶片）Durimide 8300 为光敏聚酰亚胺负胶，低应力高附着性，适用于 3D IC 与 Chiplet。
Fujifilm（富士胶片）LTC9300 为低温固化光敏聚酰亚胺，适用于柔性电子与显示面板封装
Fujifilm（富士胶片）FEP-1000 为电子束正性光刻胶，高分辨率高灵敏度，适用于掩模版制造与修复。
Fujifilm（富士胶片）FEP-2000 为电子束正性光刻胶，低 LWR 高均匀性，适用于 MEMS 与纳米器件制备。
Fujifilm（富士胶片）FEN-1000 为电子束负性光刻胶，高灵敏度高抗刻蚀，适用于纳米结构直写工艺。
Fujifilm（富士胶片）FEN-2000 为电子束负性光刻胶，高分辨率低缺陷，适用于先进封装定制化 RDL。
Fujifilm（富士胶片）NIL-1000 为纳米印刻光刻胶，低粘度高固化速度，适用于 10nm 及以下逻辑芯片制程。
Fujifilm（富士胶片）NIL-2000 为纳米印刻光刻胶，高分辨率低缺陷，适用于 Micro LED/OLED 显示像素制备。
Fujifilm（富士胶片）NIL-3000 为纳米印刻光刻胶，高抗刻蚀性，适用于先进封装高密度 RDL 工艺。
Fujifilm（富士胶片）NIL-4000 为纳米印刻光刻胶，高稳定性适配量产，适用于生物芯片与微流控器件。